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Exame: Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2Si e em SiO2/SIMOX: dependência da espessura da capa de SiO2 e síntese lateral

6 de julho:09:30 - 11:30

Eduardo Garcia Ribas, “Síntese de SiC através de implantação iônica de carbono em SiO2Si e em SiO2/SIMOX: dependência da espessura da capa de SiOe síntese lateral” (Ion beam synthesis of SiC by carbon implantation into SiO2/Si and SiO2/Simox: dependence on SiO2 layer tickness and lateral synthesis).
Orientador: Prof. Dr. Rogério Luis Maltez

Detalhes

Data:
6 de julho
Hora:
09:30 - 11:30
Evento Categoria:

Local

Sala de Vídeo Conferência – IF- Prédio da Administração
IF