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Colóquio:Desvendando a incorporação de água em estruturas dióxido de silício / carbeto de silício usando reações nucleares. Fernanda Stedile

5 de junho de 2017:14:00 - 15:30

Desvendando a incorporação de água em estruturas dióxido de silício / carbeto de silício usando reações nucleares

Fernanda Chiarello Stedile

 O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor de alta banda proibida adequado a aplicações sob condições extremas de tensão, temperatura e potência. Espera-se que dispositivos baseados em SiC sejam amplamente utilizados na nova geração de eletrônica verde. No entanto, é necessário que esses dispositivos sejam confiáveis quando expostos a vapor d’água, que está presente em todas as etapas de sua fabricação e de seu uso. Neste colóquio, apresentarei como desvendamos a forma e os sítios de incorporação dos átomos de hidrogênio e de oxigênio da molécula de água em estruturas SiO2/SiC usando reações nucleares e água enriquecida isotopicamente. Na obtenção de filmes de SiO2, empregamos diversas rotas, averiguando como influenciavam as propriedades físico-químicas e elétricas dessas estruturas. Demonstramos claramente a necessidade de um controle cuidadoso da umidade e das características do filme de SiO2 ao buscar o desenvolvimento de dispositivos de alto desempenho.

Detalhes

Data:
5 de junho de 2017
Hora:
14:00 - 15:30
Categoria de Evento:

Organizador

Instituto de Física

Local

Anfiteatro Antônio Cabral (Prédio 43135, Sala 201)