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Nano-tubos e materiais correlacionados- síntese, propriedades estruturais e vibracionais, estrutura eletrônica e tribologia de nano-tubos, fulerenos, caracterização e aplicações eletro-mecânicas [1-3]. Carbono nano-estruturado - síntese, propriedades mecânicas, tribológicas, eletrônicas e óticas [4,5]. Semicondutores nano-estruturados do grupo IV – síntese, pontos quânticos de Si em SiO2, materiais alternativos (filmes com espessuras da ordem de 1 nm) ao SiO2 com espessura dielétrica equivalente sub-nanométrica [6,7]. Semicondutores compostos (III-V e II-VI) nano-estruturados - síntese e epitaxia, estrutura e propriedades optoeletrônicas e óticas de poços, fios e pontos quânticos [8-11], bem como suas aplicações em dispositivos opto-eletrônicos. Sistemas magnéticos nano-estruturados - síntese, polarização por intercâmbio, amortecimento magnético, transporte de spin, caos, pós magnéticos, imersão em matrizes não magnéticas, fluidos magnéticos [12-14]. 6. Nano-clusters metálicos - síntese, estrutura, propriedades mecânicas, eletrônicas, de transporte e eletroquímicas [15-16]. Cerâmicas nano-estruturadas - síntese por métodos sol-gel, estrutura e desempenho mecânico de nano-compósitos [17]. Novas ligas metálicas nano-estruturadas (aços), revestimentos [18]. Filmes finos poliméricos [19]. Sistemas organico/inorgânico nano-estrutrados - síntese, monocamadas auto-construídas (self-assembled) de compostos orgânicos sobre substratos inorgânicos, revestimentos [20]. Simulação, modelagem e teoria de sistemas nano-estruturados [21-25]. [1] Polarized Raman study of aligned multiwalled carbon nanotubes; M. Rao, A. Jorio, M. A. Pimenta, M. S. S. Dantas, R. Saito, G. Dresselhaus and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. Lett. 84, 1820 (2000). [2] Polarized Raman study of single-wall semiconducting carbon nanotubes; A.Jorio, G.Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, M.Souza, M.S.S. Dantas, M.A. Pimenta, A.M. Rao, R.Saito, C.Liu, and H.M. Cheng, Phys. Rev. Lett. 85, 2617 (2000). [3] Electrostatic deflections and electromechanical ressonances of carbon nanotubes; P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte and W.A. de Heer., Science 283,1513 (1999). [4] Infrared analysis of deuterated carbon-nitrogen films obtained by dual-ion assisted deposition; F. Alvarez, N. Victoria, P. Hammer, F.L. Freire Jr. and M.C. dos Santos, Appl. Phys. Lett., 73, 1065 (1998). [5] Correlation between nano-scale friction and wear in boron carbide films deposited by dc-magnetron sputtering, R. Prioli, D.C. Reigada, F.L. Freire Jr., Appl. Phys. Lett. 75, 1317 (1999). [6] Atomic transport during growth of ultrathin dielectrics on silicon; I.J.R. Baumvol, Surf. Sci. Rep. 36, 1 (1999). [7] Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al2O3 films on Si; C. Krug, E. Rosa, R.M.C. Almeida, J. Morais, I.J.R. Baumvol, T.D.M. Salgado, F.C. Stedille, Phys. Rev. Lett. 85, 4120 (2000). [8] >Metal-Insulator Transition in a Disordered Two-Dimensional Electron Gas in GaAs-AlGaAs at Zero Magnetic Field; E. Ribeiro, R. D. Jaggi, T. Heinzel, K. Ensslin, G. Medeiros-Ribeiro, P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett., 82, 996 (1999). [9] On three dimensional self-organization and optical properties of InAs quantum-dot multilayers; J.C. González, F. M. Matinaga, W.N. Rodrigues, M.V.B. Moreira, A.G. de Oliveira, M. I. N. da Silva,.J. M. Vilela, M. S. Andrade, D. Ugarte and P. C. Silva; Appl. Phys. Lett., 76, 3400 (2000). [10] Surface size effect on the growth mode and morphology of InP homoepitaxial films; H.R.Gutiérrez, M.A.Cotta, J.R.R.Bortoleto, D.Ugarte, M.A.A.Pudenzi, A.L.Gobbi and M.M.G.de Carvalho, Phys. Rev.B 62, 15409 (2000). [11] X-ray determination of vertical ordering of InAs quantum dots in InAs/GaAs multilayers; R. Magalhaes-Paniago, J.C. Gonzalez, W.N. Rodrigues, A. Malachias, M.V.B. Moreira, A.G. Oliveira, I. Mazzaro, C. Cusatis, T.H. Metzger and J. Peisl, Appl. Phys. Let., 78 1056 (2001). [12] Magnon excitation by spin injection in Fe/Cr/Fe; S.M. Rezende, F.M. de Aguiar, M.A. Lucena, and A. Azevedo, Phys. Rev. Lett. 84, 4212 (2000). [13] Magnetic Properties of Fe Films Epitaxially Grown on Cr/GaAs(100) by DC Magnetron Sputtering; Biao Li, J.R. Fermin, Antonio Azevedo, F.M. de Aguiar, and S.M. Rezende, Appl. Phys. Lett.72, 2760 (1998). [14] Magnetic Microwires as Macrospins in Long-Range Dipole-Dipole Interaction; L.C. Sampaio Lima, E.H.C.P. Sinnecker, G.C. Cernichiaro, M. Knobel, J. Velázquez and M. Vázquez, Phys. Rev. B 61, 8976 (2000). [15] Anomalous packing in thin nanoparticle supercrystals; D. Zanchet, M.S. Moreno and D. Ugarte, Phys. Rev. Lett. 82, 5277 (1999). [16] The signature of atomic structure in the quantum conductance of gold nanowires; V. Rodrigues, T. Fuhrer and D. Ugarte, Phys. Rev. Lett. 85, 4124 (2000). [17] Organic/inorganic nanocomposite star polymers via atom transfer radical polymerization of methyl methacrylate using octafunctional silsesquioxane cores. R.O.R.Costa, R. Tamaki, W.L. Vasconcellos, R. M. Laine, Macromolecules 34, 5398 (2001). [18] Identification of Two Patterns in Magnetic Force Microscopy of Shape Memory Alloys; B.R.A. Neves and M.S. Andrade, Appl. Phys. Lett., 74, 2090 (1999). [19] Carbon Structure With Three-Dimensional Periodicity at Optical Wavelengths; S.O. Dantas; A. Anvar, H.Z.K. Ray, G.D. Victor, Science, 282, 897 (1998). [20] A [2]Catenane Based Solid-State Electronically Reconfigurable Switch, Collier C.P., Mattersteig G., Wong E.W., Luo Y., Beverly K., Sampaio J. ,Raymo F.M., Stoddart J.F., Heath J.R., Science, 289, 1172 (2000). [21] Quantized thermal conductance of dielectric quantum wires; L.G.C. Rego and G.. Kirczenow, Phys. Rev. Lett. 81, 232 (1998). [22] Stability, geometry, and electronic structure of the boron nitride fullerene. S. S. Alexandre, M. S. C. Mazzoni and H. Chacham,; Appl. Phys. Lett., 75, 61 (1999). [23] Hysteresislike behavior in meta-nitroaniline crystal, L.H. Avanci, R.S. Braga, L.P. Cardoso, D.S. Galvão and J.N. Sherwood, Phys. Rev. Lett. 83, 5146 (1999). [24] Polarons in Carbon Nanotubes; M. Verissimo-Alves, R. B. Capaz, B. Koiller, E. Artacho and H. Chacham, Phys. Rev. Lett. 86, 3372 (2001). [25] Two-Atom Structures of Ge on Si(100): Dimers versus Adatom Pairs; A.J.R. da Silva, G.M. Dalpian, A. Janotti and A. Fazzio, Phys. Rev. Lett. 87, 036104 (2001). |